东北大学携手爱信研发16nm AI芯片:65.7毫秒极速启动

日本东北大学与汽车零部件巨头爱信11月2日宣布,双方联合研发出一款搭载STT-MRAM的16nm AI芯片:通电后仅需65.7毫秒即可启动操作系统,AI处理能耗降至传统方案的约五十分之一。据称,这是全球首款集成STT-MRAM的16nm AI系统级芯片(SoC)。

启动时间缩短近39倍

这款芯片最大的亮点是“即开即用”。研发团队公布的实测数据显示,从通电到操作系统内核启动完成,耗时由传统方案的2535.3毫秒缩短至65.7毫秒,提速约38.59倍。之所以能做到这一点,关键在于“近内存计算”架构:32MB的STT-MRAM直接集成在芯片内部,操作系统的启动信息和AI模型的权重数据都存放在其中,开机时无需再从外部存储器搬运数据,也不再需要外接DRAM或固态硬盘。

在AI处理性能上,这款芯片同样交出了亮眼的数据。以轻量级物体检测模型Tiny YOLOv3为例,模型权重数据由17.7MB压缩至9.36MB,降幅达53%,而检测精度mAP仅从0.325微降至0.316;单芯片的AI处理时间由594.6毫秒缩短至58.5毫秒,约为原来的十分之一,系统整体的运算速度提升约25倍;物体检测单帧能耗为50.7毫焦,AI处理的整体能耗降至传统方案的约五十分之一。

芯片配置:台积电16nm工艺

这款AI SoC采用台积电16nm FinFET工艺制造,除32MB STT-MRAM外,还集成了AI加速器、双核Arm Cortex-A53 CPU以及Arm Mali-G31 GPU。研发团队由东北大学国际集积电子学研究开发中心(CIES)的远藤哲郎教授团队与爱信的研究人员组成,相关成果已在11月1日至4日于中国台湾新竹举行的半导体集成电路技术国际会议IEEE A-SSCC 2026上发表,论文编号1014。

什么是STT-MRAM

STT-MRAM全称自旋转移矩磁性随机存储器,是一种非易失性存储器:断电后数据不会丢失,重新通电即可直接使用,同时具备接近内存的读写速度。传统AI芯片每次启动都要先从外部闪存或硬盘把系统和模型加载进内存,这个“搬运”过程既耗时又耗电。把STT-MRAM做到芯片内部,相当于让芯片“自带记忆”,开机即进入工作状态,这正是这款芯片实现毫秒级启动的技术底座。

影响与展望:瞄准车载与边缘AI

这项技术的落地场景首先指向汽车与边缘设备。爱信是全球主要的汽车零部件供应商,车载系统对“上电即用”和低功耗有天然需求:车辆启动后,驾驶辅助、车内感知等AI功能越快就绪越好,而电动车对每一毫瓦功耗都十分敏感。同样,工业传感器、物联网终端等常年靠电池供电的边缘设备,也能从“不用等开机、不用频繁读写外部存储”中受益。

不过也要看到,这仍是一项处于研究阶段的成果。双方尚未公布产品化时间表与价格,实测基于Tiny YOLOv3这样的小型模型,更大规模AI模型在这款芯片上的表现仍有待验证。STT-MRAM从实验室走向大规模量产,还要跨过成本与良率两道门槛。但作为“存算一体”路线的一次具体验证,它为AI芯片如何摆脱“启动慢、搬运贵”的老问题,提供了一个值得关注的新答案。

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