SK会长警告:中国追赶加速,韩国存储份额告急

10月11日,韩国SK集团会长崔泰源在上海出席第38届上海市市长国际企业家咨询会议期间,对韩国半导体产业发出罕见的公开警告:如果中国芯片厂商和美国美光的扩产速度更快,韩国在全球存储芯片市场的份额将会萎缩。他呼吁韩国加速半导体工厂建设,并透露总投资达400万亿韩元的湖南半导体集群计划正在提速,未来可能与龙仁项目双线并进。

上海发言:扩产慢了,份额就没了

据《亚洲日报》、韩国联合通讯社等多家韩媒报道,崔泰源在会议期间接受记者采访时表示:”我们需要尽快行动。如果中国或者美国的美光扩张得更快,我们的市场份额就会下降。”这番表态被视为SK集团掌门人对当前存储芯片竞争格局发出的最强烈的危机信号。

崔泰源坦言,若维持现状,中国厂商迟早将在存储领域实现”全面赶超”。这种危机感的背后,是韩国两大存储巨头正同时受到来自太平洋两岸的挤压:一边是美国美光加速扩产,另一边是中国厂商以惊人的速度缩小技术差距。

400万亿韩元湖南集群:龙仁、光州或双线并进

崔泰源此次重点谈及的,是位于韩国西南部的湖南半导体集群计划。该项目总投资约400万亿韩元,规划规模约为龙仁半导体集群的三分之二,后续可视土地与需求情况进一步扩大。

值得注意的是,就在赴上海前两天(10月9日),崔泰源亲自前往光州军用机场,视察这一集群的候选厂址,并表态”只要能开工,就以最快速度推进”——即使水电等配套基础设施尚未完全到位,也可以先行打桩施工,建设成本上”不打算打任何折扣”。

目前SK海力士正在全力推进龙仁半导体集群项目。崔泰源表示,湖南项目不必等到龙仁完工后再启动,必要时两地可以同时建设。具体的开工时间表将取决于韩国政府和地方层面的水电供应规划,但他已要求团队尽快拿出明确方案。

当被问及是否会在日本等海外建设半导体工厂时,崔泰源仅以”正在研究中”回应,未作出任何实质承诺。

背景:存储格局生变,中国厂商步步紧逼

崔泰源点名的两大追赶者各有来头:长鑫存储(CXMT)在DRAM领域、长江存储(YMTC)在NAND闪存领域,正凭借中国本土强劲的需求快速扩产、提升技术。据TrendForce数据,2026年第二季度全球DRAM市场按营收计算,三星以39.4%居首,SK海力士24.9%位居第二,美光23.3%紧随其后,而长鑫存储已拿下9.5%的份额,较上一季度继续攀升——SK海力士与美光之间的差距已缩小到不足2个百分点。

事实上,这并非SK第一次释放扩产信号。今年6月29日,崔泰源就曾宣布SK海力士将投资约1100万亿韩元扩大半导体供应:龙仁集群约600万亿韩元用于DRAM产能、清州约100万亿韩元用于NAND产能,另有400万亿韩元投向韩国西南部的新集群——正是此次上海发言中提及的湖南项目。当时他还警告,存储芯片的供应紧张局面将在2027年进一步加剧。今年9月接受采访时,他更直言面对中国芯片产业的推进,企业必须”比以前快十倍”地行动。

上海设AI研发中心,驳斥”限制无用论”

同一天,SK还宣布计划在上海设立AI研发中心,重点研究AI数据中心、具身智能(Physical AI)与生物医药等方向。崔泰源介绍,35年来SK已累计在华投资600亿美元,是在华规模最大的外国投资者之一。

针对美国政治圈对韩国企业在华半导体业务的担忧,崔泰源明确表示,不认同”限制韩国企业对华投资就能遏制中国半导体产业发展”的观点。他指出,SK海力士在中国无锡拥有DRAM工厂、在大连拥有NAND相关工厂,美国的出口管制已使韩企难以向在华工厂引入先进设备——即便如此,中国本土厂商依然在快速进步,”等对手停下来”不是办法。

影响与展望:涨价周期里的扩产豪赌

崔泰源的警告折射出AI时代存储行业的根本矛盾:一方面,AI数据中心对高带宽内存的需求持续爆发,供应紧张已成常态;另一方面,从建厂到量产需要数年时间,现在不投资,数年后就没有份额可守。用他自己的话说:”需求是巨大的,问题在于我们无法扩大产能。”

资本市场已经给出反应。10月12日,总部位于光州、全罗南道的锦湖电气(被视为湖南集群概念股)股价一度飙涨29.93%,收于11070韩元。该股自6月集群计划公布后曾暴涨近20倍,上月起因项目可行性疑虑有所回落,崔泰源的最新表态重新点燃了投资者情绪。

不过,存储行业历来是强周期行业。各大厂商若在上行周期同步大举扩产,数年后产能集中释放时,可能重演供给过剩、价格崩盘的老剧本。对设备与材料供应商而言,短期订单无疑是利好;但对整个行业来说,这场由AI点燃的扩产竞赛,最终考验的是谁能在周期反转前把产能变成利润。

对中国读者而言,另一个值得关注的信号是崔泰源的表态:在美国持续收紧对华半导体出口管制之际,全球主要存储厂商的掌门人公开承认,限制措施挡不住中国厂商的技术进步。这或许意味着,未来存储市场的竞争将更多取决于各自的扩产速度与技术迭代,而非地缘政治的围堵。

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